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BUK952R8-60E,127 Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

BUK952R8-60E,127

Mfr# BUK952R8-60E,127
Mfr. NXP Semiconductors / Freescale
説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 NXP Semiconductors / Freescale BUK952R8-60E,127について
仕様書

説明

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部品型番 BUK952R8-60E,127
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5464 pcs
仕様書
同上@ VGS（TH）（最大） 2.1V @ 1mA
Vgs（最大） ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.6 mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 349W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 17450pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 120nC @ 5V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)

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