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RN1115MFV,L3F

Mfr# RN1115MFV,L3F
Mfr. TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
説明 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RoHS ステータス RoHS Compliant
より詳しい情報 Toshiba Semiconductor and Storage RN1115MFV,L3Fについて
仕様書

説明

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部品型番 RN1115MFV,L3F
メーカー TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
説明 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
フリーステータス/ RoHS状態 RoHS Compliant
在庫あり 1864112 pcs
仕様書
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package VESM
Sarja -
Vastus - emitteripohja (R2) 10 kOhms
Vastus - pohja (R1) 2.2 kOhms
Virta - Max 150 mW
Pakkaus / Case SOT-723
Paketti Tape & Reel (TR)
Asennustyyppi Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen 250 MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) 500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max) 100 mA
Perustuotteenumero RN1115

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