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HER308G A0G Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

HER308G A0G

Mfr# HER308G A0G
Mfr. Taiwan Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
RoHS ステータス Memimpin bebas / RoHS Compliant
より詳しい情報 TSC (Taiwan Semiconductor) HER308G A0Gについて
仕様書 HER308G A0G.pdf

説明

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部品型番 HER308G A0G
メーカー Taiwan Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
フリーステータス/ RoHS状態 Memimpin bebas / RoHS Compliant
在庫あり 282103 pcs
仕様書 HER308G A0G.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos 1.7V @ 3A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Toimittaja Device Package DO-201AD
Nopeus Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja -
Käänteinen Recovery Time (TRR) 75ns
Pakkaus Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case DO-201AD, Axial
Käyttölämpötila - liitäntä -55°C ~ 150°C
Asennustyyppi Through Hole
Valmistajan toimitusaika 12 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila Lead free / RoHS Compliant
diodi Tyyppi Standard
Yksityiskohtainen kuvaus Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-201AD
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr 10µA @ 1000V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) 3A
Kapasitanssi @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz

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